1、壓敏電壓
在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件和直流1mA電流下，施加在壓敏電阻兩端的電壓。近似于拐點(diǎn)電壓。用U1mA表示。
要求：壓敏電壓測(cè)量值在誤差范圍內(nèi)。K：±10%； L：±15%。
2、漏電流
在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，施加zui大允許直流電壓時(shí)，流過(guò)壓敏電阻的電流值。
測(cè)試設(shè)備：壓敏電阻測(cè)試儀。
要求：漏電流在規(guī)定的額定值內(nèi)。（幾μA）
3、限制電壓
將波形為8/20μS的脈沖電流 ，按規(guī)定的電流峰值施加在壓敏電阻上,其兩端的電壓峰值稱為限制電壓。
測(cè)試設(shè)備: 脈沖發(fā)生器、記憶示波器、壓敏電阻測(cè)試儀
要求：限制電壓小于規(guī)定的額定值，各規(guī)格限制電壓見(jiàn)說(shuō)明書(shū)。
4、量耐量
施加給壓敏電阻波形為2000μS或10/1000μS的浪涌脈沖電流,使壓敏電壓變化率在±10%以內(nèi)的zui大能量。
能量（J）=k * Ip * Vc * 10-6
k — 對(duì)于2000μS， k=2000；對(duì)于10/1000μS k=1391；Ip—波形為2000μS或10/1000μS的電流峰值； Vc —2000μS或10/1000μS的電流通過(guò)時(shí)壓敏電阻兩端的電壓峰值。
測(cè)試設(shè)備：脈沖發(fā)生器、記憶示波器、壓敏電阻三參數(shù)測(cè)試儀
要求：施加說(shuō)明書(shū)規(guī)定的zui大沖擊能量后：壓敏電阻無(wú)外觀損傷；壓敏電壓變化率≤±10%。
5、通流容量
施加給壓敏電阻波形為8/20μS的脈沖電流，時(shí)間間隔2分鐘，同方向施加兩次，使壓敏電壓變化率在±10%以內(nèi)的zui大電流峰值。
測(cè)試設(shè)備：脈沖發(fā)生器、記憶示波器、壓敏電阻三參數(shù)測(cè)試儀
要求：施加說(shuō)明書(shū)規(guī)定的zui大脈沖電流后：壓敏電壓變化率≤±10%。
6、電壓溫度系數(shù)
壓敏電阻溫度從25℃到85℃時(shí)壓敏電壓的變化率，用%/℃表示。
測(cè)試設(shè)備：恒溫恒濕箱壓敏電阻測(cè)試儀
要求：≤-0.05 %/℃。
7、靜態(tài)功率
在25℃的環(huán)境溫度下的zui大允許功耗。
8、電容量
使用1kHz,電平≤1Vrms的電信號(hào), 測(cè)量壓敏電阻的電容量。
測(cè)試設(shè)備: 容量測(cè)試儀
要求：電容量小于規(guī)定的額定值，各規(guī)格電容量見(jiàn)說(shuō)明書(shū)。
注：標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件：溫度15℃-35℃，相對(duì)濕度45%-75%, 氣壓86 k Pa ~106k Pa。
